Сущность технологии заключается в нанесении двух разных слоев металлических пленок в одном вакуумном цикле и без использования сложной структуры двуслойного электронного резиста с висячим мостиком из этого резиста. Результат достигается по причине напыления пленки на подложку в нужном направлении вдоль соответствующей канавки и напыление на стенку второй канавки с последующим удалением вместе с резистом. В результате на подложке остается только требуемый сверхпроводниковый туннельный переход необходимых размеров с верхним и нижним электродами, сформированными вдоль соответвтующих ортогональных канавок в резисте. В успешной практической реализации были использованы углы наклона 45^о при напылении пленок алюминия в качестве сверхпроводника и меди, палладия и гафния в качестве нормального металла.

Патент на изобретение:
М.А.Тарасов, Д.В.Нагирная, А.А.Гунбина, М.Ю.Фоминский
Способ изготовления устройств с тонкопленочными туннельными переходами, Патент № 2 733 330 С1, заявка 2019123125 от 22.07.2019, зарегистрирован 01.10.2020 2 733 330